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国防威胁减除局寻求抗辐射高频模拟和射频半

2019-03-09 22:44:54

[据军事航空电子站2012年11月30道]美国国防威胁减除局(DTRA)11月28日发布了一份信息征询书(NTS),寻求先进抗辐射高频模拟和射频半导体技术,以支持“先进高频模拟和射频半导体技术研发与加固”项目。

DTRA将向行业寻求辐射测试、建模和模拟技术,以评估单粒子效应(SEE)和总剂量效应(TID)的辐射环境下高频半导体的模拟和射频性能。

DTRA也关注90纳米以下半导体的抗辐射建模、仿真和抗辐射加固设计技术,设备类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBTs)。

DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅(SOI)芯片、氮化镓异质结场效应晶体管(GaAn HFET)功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件,用于当前和未来军事系统,如卫星和导弹。

国防威胁减除局寻求抗辐射高频模拟和射频半

(工业和信息化部电子科学技术情报研究所 陈皓)

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